常用编码FH1200004是一款超小型高质量的无源石英晶体,被广泛使用于超宽频应用，在生产高精度贴片谐振器产品线上面技术最高超的要数百利通亚陶公司,对于几乎任何电子或电气系统的设计，最大限度地提高电源效率非常重要。在移动设备中，更好的电源效率可提供更长的电池寿命，这是一个关键卖点。对于基本上任何应用，提高能效意味着可以减小尺寸和重量，并简化热管理——从而降低成本。当然，使用更少的功率也有助于产品满足能源等级要求，这可能是法律要求，也是对客户有吸引力的功能。

在许多产品中，能源效率的最大收益可以在所使用的电源或电压转换器中实现。因此，多年来，功率半导体器件供应商一直致力于逐步提高能效。

现在有一种设备，基于专有的深沟工艺，使电源能够显着提高其性能和效率：超级势垒整流器 (SBR®)。它可以以与标准肖特基二极管完全相同的方式用于广泛的应用——从汽车照明到可再生能源和消费产品。

SBR 是百利通亚陶晶振公司开发的专有专利技术，与用于传统肖特基二极管的双极工艺相比，它采用金属氧化物半导体 (MOS) 制造工艺制造。

GC0800044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ GC	MHz Crystal	8MHz	±50ppm
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FL1200112	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	12MHz	±30ppm
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FL2400081	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
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FL3200037	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	32MHz	±15ppm
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MOS 沟道的存在为多数载流子形成了一个低势垒，导致正向偏置性能类似于低电压下的肖特基二极管。然而，由于重叠的 PN 耗尽层和不存在势垒降低，泄漏电流要低得多。

SBR 由与肖特基二极管相同的电子原理图符号表示。实际上，内部结构就像一个 MOSFET，其栅极和源极端子连接在一起，形成 SBR 阳极端子。MOSFET 漏极充当 SBR 阴极。常用编码FH1200004是一款超小型高质量的无源石英晶体,被广泛使用于超宽频应用

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FL2500123Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±50ppm
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除了具有出色的温度稳定性和雪崩能力外，SBR 表现出更低的泄漏，在任何电路中都表现得像二极管，因此石英晶体可以用作类似肖特基器件的直接替代品。

FL5000058Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	50MHz	±15ppm
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FY0800018	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FY	MHz Crystal	8MHz	±30ppm
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FY1000009	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FY	MHz Crystal	10MHz	±30ppm
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FH1200004	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	12MHz	±15ppm
FH1200004	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	12MHz	±15ppm
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FH3000007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	30MHz	±30ppm
FH3000007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	30MHz	±30ppm
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FH4000047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	40MHz	±10ppm
FH4000047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	40MHz	±10ppm
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GB0400034	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ GB	MHz Crystal	4MHz	±30ppm
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FW1600008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	16MHz	±20ppm
FW1600008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	16MHz	±20ppm

这意味着 SBR 可立即提高效率并降低设备外壳温度，从而简化热管理并提高可靠性，无需重新设计 PCB 或添加额外组件即可实现。此外，SBR 具有高浪涌电流额定值，可承受不可预测的功率流和雷击等危险，并具有 PN 外延二极管的热稳定性和高可靠性特性。