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Golledge晶振,贴片晶振,GTXO-253晶振
Golledge晶振,贴片晶振,GTXO-253晶振
温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
频率:10.0~52.0MHZ   尺寸:2.5×2.0mm
Golledge晶振,贴片晶振,GTXO-203晶振
Golledge晶振,贴片晶振,GTXO-203晶振
温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
频率:26.0~52.0MHZ   尺寸:2.0×1.6mm
Golledge晶振,3225晶振,GTXO-91晶振
Golledge晶振,3225晶振,GTXO-91晶振
温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
频率:8.0~52.0MHZ   尺寸:3.2×2.5mm
Golledge晶振,5032晶振,GTXO-83晶振
Golledge晶振,5032晶振,GTXO-83晶振
温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
频率:6.0~45.0MHZ   尺寸:5.0×3.2mm
Golledge晶振,TCXO晶振,GTXO-74晶振
Golledge晶振,TCXO晶振,GTXO-74晶振
温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
频率:30.0~61.44MHZ   尺寸:5.0×7.0mm
Golledge晶振,TCXO晶振,GTXO-14晶振
Golledge晶振,TCXO晶振,GTXO-14晶振
温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
频率:6.40~100MHZ   尺寸:20.8×13.2mm
Golledge晶振,32.768K晶振,RV8803C7晶振
Golledge晶振,32.768K晶振,RV8803C7晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率:32.768kHz, 1024Hz, 1Hz   尺寸:3.2×1.5mm
Golledge晶振,有源晶振,RV3029C3晶振
Golledge晶振,有源晶振,RV3029C3晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率:32.768kHz,1024Hz,32Hz,1Hz   尺寸:3.7×2.5mm
Golledge晶振,有源晶振,RV2123C2晶振
Golledge晶振,有源晶振,RV2123C2晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率:32.768kHz ~1Hz   尺寸:5.0×3.2mm
Golledge晶振,有源晶振,RV1805C3晶振
Golledge晶振,有源晶振,RV1805C3晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率:32.768KHZ~1 / 60HZ   尺寸:3.7×2.5mm
Golledge晶振,OCXO晶振,MCOCXO晶振
Golledge晶振,OCXO晶振,MCOCXO晶振
恒温晶体振荡器简称恒温晶振,英文简称为OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator),是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定,将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻“电桥"构成的差动串联放大器,来实现温度控制。
频率:10.0KHZ~54.0MHZ   尺寸:20.1 x 12.5 x 8.0mm
Golledge晶振,OCXO晶振,HCD660晶振
Golledge晶振,OCXO晶振,HCD660晶振
恒温晶体振荡器简称恒温晶振,英文简称为OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator),是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定,将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻“电桥"构成的差动串联放大器,来实现温度控制。
频率:5.0~20MHZ   尺寸:51.0 x 41.0 x 24.5mm
Golledge晶振,OCXO晶振,HCD210晶振
Golledge晶振,OCXO晶振,HCD210晶振
恒温晶体振荡器简称恒温晶振,英文简称为OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator),是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定,将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻“电桥"构成的差动串联放大器,来实现温度控制。
频率:5.0~100MHZ   尺寸:50×70×40mm
Golledge晶振,OCXO晶振,GOXO-149晶振
Golledge晶振,OCXO晶振,GOXO-149晶振
恒温晶体振荡器简称恒温晶振,英文简称为OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator),是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定,将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻“电桥"构成的差动串联放大器,来实现温度控制。
频率:10~80MHZ   尺寸:14.1×9.1mm
Golledge晶振,有源晶振,OV7604C7晶振
Golledge晶振,有源晶振,OV7604C7晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
频率:32.768KHZ   尺寸:3.2×1.5mm
Golledge晶振,32.768K有源晶振,MCSO1EL晶振
Golledge晶振,32.768K有源晶振,MCSO1EL晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
频率:32.768KHZ   尺寸:8.0×3.8mm
Golledge晶振,32.768K有源晶振,GHTXO晶振
Golledge晶振,32.768K有源晶振,GHTXO晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
频率:32.768KHZ,1.5~50.0MHZ   尺寸:7.5×5.0mm
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