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Sitime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振

Sitime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振Sitime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振

产品简介

SiTime产品可在各种操作温度范围内使用.这些广泛的温度范围,结合SiTime固有的健壮和高度可靠的设计,确保设备非常适合应用程序环境,并以最低的成本可用.SiTime的高温家庭提供了频率、稳定性和小包装尺寸的最佳组合——这是普通石英贴片晶振,石英晶体供应商无法提供的组合.

产品详情

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Sitime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振,随着摩尔定律的发展,SiTime可编程有源晶振的硅MEMS时序产品具有半导体行业的性能轨迹.由于硅工艺和设计技术的快速发展,硅MEMS计时装置的性能继续迅速改善,并超过了基于石英的定时装置的性能.硅制造技术生产具有亚微米特征和纳米精度的设备.MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.石英晶体振荡器,32.768K振荡器,SiT1532晶振

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项目

符号

SiT1532晶振规格说明

条件

输出频率范围

f0

32.768KHZ

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

1.2 V to 3.63 V

联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -10to +70

请联系我们查看更多资料

http://www.seikocrystal.com

H: -40to +85

J: -40to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±20 × 10-6

L: ±25 × 10-6

T: ±50 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

输入电压

VIH

80% VCCMax.

ST终端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

3

SiT1532 1508 32.768K OSC

4

所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

电源线路

电源的线路阻抗应尽可能低.

输出负载

建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间).

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。石英晶体振荡器,32.768K振荡器,SiT1532晶振

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