Sitime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振,随着摩尔定律的发展,SiTime可编程有源晶振的硅MEMS时序产品具有半导体行业的性能轨迹.由于硅工艺和设计技术的快速发展,硅MEMS计时装置的性能继续迅速改善,并超过了基于石英的定时装置的性能.硅制造技术生产具有亚微米特征和纳米精度的设备.MEMS谐振器是在硅晶圆中制造的,它的改进是由更精细的几何图形制成的.由于SiTime石英晶体振荡器的体积相较于普通石英晶振,石英晶体要大,频率范围较广,晶体振荡器电源电压更多选择,性能佳,相位噪音较低.石英晶体振荡器,32.768K振荡器,SiT1532晶振
|
项目 |
符号 |
SiT1532晶振规格说明 |
条件 |
|
输出频率范围 |
f0 |
32.768KHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
|
电源电压 |
VCC |
1.2 V to 3.63 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
|
储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
G: -10℃to +70℃ |
请联系我们查看更多资料 |
|
H: -40℃to +85℃ |
|||
|
J: -40℃to +125℃ |
|||
|
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±20 × 10-6 |
|
|
L: ±25 × 10-6 |
|||
|
T: ±50 × 10-6 |
|||
|
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
|
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
|
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
|
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
|
输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
|
VIL |
20 % VCCMax. |
||
|
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
|
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
|
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间).
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。石英晶体振荡器,32.768K振荡器,SiT1532晶振


Golledge晶振,有源晶振,RV2123C2晶振
Golledge晶振,有源晶振,RV3029C3晶振
Golledge晶振,32.768K晶振,RV8803C7晶振
Golledge晶振,TCXO晶振,GTXO-14晶振
Golledge晶振,TCXO晶振,GTXO-74晶振
京瓷晶振,贴片晶振,KC3215A晶振
京瓷晶振,贴片晶振,KR3225Y晶振
京瓷晶振,有源晶振,KC2016B_C1晶振
京瓷晶振,有源晶振,KC2520B-C1晶振
NDK晶振,贴片晶振,NZ3225SH晶振

