IDT晶振,贴片晶振,8N4Q001晶振,IDT晶振集团,成立于1980年公司发展在各地均设有分公司,全球人员大概在2000左右,总部位于加州圣何塞市。IDT晶振集团 提供石英晶体振荡器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可编程晶体振荡器,能满足几乎任何应用的需求. XL 和 XU 晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级. 对于寻求在压控晶体振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClock NG 器件是他们的理想选择.
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项目 |
符号 |
8N4Q001晶振规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
15.476MHz to 1300MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
2.5V to 3.3 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.seikocrystal.com |
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H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
晶振使用注意事项
<晶体谐振器>
如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。
让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍 以上。
<晶体振荡器>
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。
有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接。使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
<晶体滤波器>
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近。
如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路。
如果过大的激励电力对谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。
IDT晶振集团环保基本理念:
1.作为良好的企业市民,遵循本公司的行动方针,充分关心维护地球环境.遵守国内外的有关环保法规.
2.保护自然环境,充分关注自然生态等方面的环境保护,维持和保全生物多样性.
3.有效利用石英晶体资源和能源,认识到资源和能源的有限性,努力进行有效利用.
4为构建循环型社会做出贡献,致力于减少晶体振荡器,有源晶振,石英晶振,7050晶振废弃物及废弃物的再利用核再生循环,努力构建循环型社会.
5.在晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器开发和制造过程中使用对环境健康的、可回收利用的材料
6.IDT晶振集团尽可能的采用无害的贴片晶振,压电石英晶体原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用。


Sitime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振
Sitime晶振,有源晶振,SiT9001晶振
Sitime晶振,有源晶振,SiT8021晶振
IDT晶振,5070晶振,8N4S270晶振
Vectron晶振,贴片晶振,TX-705晶振
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