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T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振

频率:38MHz

尺寸:34.8 mm x 20.2 mm

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T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振,格林雷石英晶振,T1276有源晶振,T1300-T26-3.3-LG-20MHz-E晶振,欧美进口晶振,TCXO晶振,频率38MHz,工作温度-55~95°C,电压3.3V,CMOS输出晶振,抗冲击晶振,耐辐射晶振,高轨道应答器晶振,低轨道卫星(纳米/微型卫星)晶振,射频遥测系统晶振,多波段终端晶振,升频器晶振.

T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振 特点:

200克拉(Si)总电离剂量

•坚固耐用,密封,耐辐射34.8 mm x 20.2 mm 24-PIN DIP封装

•频率:2.5至120MHz

•宽温度范围-55°C至+125°C

•SEL和SET自由至100 MeV cm2/mg

•超低加速灵敏度< 0.07 ppb/g

•3.3 VDC和5 VDC供电

•CMOS或正弦波输出

•MIL-PRF-55310 B级或S级筛选

T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振 参数图

规格参数 数值 条件
频率 38MHz +25°C
频率稳定度 ±5ppm -55°C to +95°C
工作温度 -55°C to +95°C
老化 ± 1ppm max
1st year
频率与电压 ± 0.1ppm max
For a 2% change
电子频率控制 ± 10ppm
EFC = 0 to VDD, Positive slope 50kΩ input Z
电压 3.3V(VDD)
输入电流 35mA CMOS
负载 50?
CMOS
相位噪声(静态)10Hz -90dBc/Hz
相位噪声(静态)100Hz -120dBc/Hz
相位噪声(静态)1K -140dBc/Hz
相位噪声(静态)10KHz -150dBc/Hz
相位噪声(静态)100KHz -155dBc/Hz
储存温度 -65°C to+130°C

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T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移动无线电晶振,格林雷石英晶振尺寸图

T1276尺寸图

T1276规格图




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