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NDK晶振,贴片晶振,NZ2016SD晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
频率：1.5~60MHz 尺寸：2.0×1.6mm
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NDK晶振,石英晶振,2725T晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
频率：2.5~125MHZ 尺寸：5.0×3.2mm
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NDK晶振,石英晶振,2725Q晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
频率：2.5~125MHZ 尺寸：5.0×3.2mm
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NDK晶振,OSC晶振,2725N晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
频率：2.5~70MHZ 尺寸：5.0×3.2mm
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EPSON晶振,贴片晶振,VG5032VDN晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率：85~170MHZ 尺寸：5.0×3.2mm
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EPSON晶振,有源晶振,VG7050EBN晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率：600~800MHZ 尺寸：5.0×7.0mm
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EPSON晶振,VCXO晶振,VG5032EDN晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率：85~170MHZ 尺寸：5.0×3.2mm
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EPSON晶振,VCXO晶振,VG-4513CA晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率：100~250MHZ 尺寸：5.0×7.0mm
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EPSON晶振,贴片晶振,VG-4512CA晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率：80~200MHZ 尺寸：5.0×7.0mm
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EPSON晶振,贴片晶振,VG-4501CA晶振,VG-4502CA晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率：80~125MHZ 尺寸：5.0×7.0mm
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EPSON晶振,贴片晶振,VG-4231CE晶振
有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
频率：3~60MHZ 尺寸：3.2×2.5mm
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EPSON晶振,5032晶振,VG-4231CB晶振
VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能，产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率，使产品永远控制在一定的频率范围，压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用, VCXO,压控晶体应用：调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等。符合RoHS/无铅。
频率：1~81MHZ 尺寸：5.0×3.2mm
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EPSON晶振,压控晶振,VG-4232CA晶振
VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能，产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率，使产品永远控制在一定的频率范围，压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用, VCXO,压控晶体应用：调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等。符合RoHS/无铅。
频率：60~80MHZ 尺寸：5.0×7.0mm
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EPSON晶振,VCXO晶振,VG-4231CA晶振
VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能，产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率，使产品永远控制在一定的频率范围，压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用, VCXO,压控晶体应用：调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等。符合RoHS/无铅。
频率：1~60MHZ 尺寸：5.0×7.0mm
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EPSON晶振,VCXO晶振,VG7050CAN晶振
VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能，产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率，使产品永远控制在一定的频率范围，压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用, VCXO,压控晶体应用：调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等。符合RoHS/无铅。
频率：30.72MHZ 尺寸：5.0×7.0mm
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EPSON晶振,有源晶振,VG2520CAN晶振
VCXO是指这款晶体产品控制功能只有单压控也就是电压控制功能，产品本身频率精度可以随着电压搞定起伏来自动调整频率，使产品永远控制在一定的频率范围，压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用, VCXO,压控晶体应用：调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等。符合RoHS/无铅。
频率：30.72MHZ 尺寸：2.5×2.0mm
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EPSON晶振,有源晶振,TG5032CGN晶振,TG5032SGN晶振
温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.
频率：10~40MHZ 尺寸：5.0×3.2mm
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