SiTime通过新的Epoch平台改变精确计时
在未来十年打开20亿美元的市场，并以无与伦比的性能和可靠性树立新标杆
精密计时公司今天宣布SiTime Epoch平台，旨在解决电子产品中最复杂的计时问题，并颠覆已有100年历史的石英技术。SiTime Epoch平台是一款基于MEMS的恒温晶体振荡器（OCXO），可为数据中心和网络基础设施设备提供超稳定的时钟，在未来十年内为累计20亿美元的可寻址市场（SAM）提供服务。随着时间的推移，Epoch技术将扩展到其他高增长的电子市场，如航空航天和国防、工业控制等。
SiTime首席执行官兼董事长Rajesh Vashist表示:“Epoch平台的发布对于SiTime和电子行业来说是一个关键时刻。“多年来，客户一直忍受着现有计时技术的缺点，因为没有可行的替代技术。它们在现实世界的性能、可靠性和功耗等方面做出了妥协。SiTime的Epoch平台改变了游戏规则，以更低的功耗提供了更高的性能和可靠性，这是迄今为止无法实现的。这些优势是五年来工程投资和基于系统的开发方法的结果，该方法结合了MEMS石英晶体、模拟、封装和算法。到2024年，Epoch以及自2020年以来推出的新产品（以及未来推出的更多产品）将使我们的通信和企业年度SAM扩大到13亿美元。我们相信精确计时将成为所有电子产品创新的催化剂，并将推动我们未来的成功。”
精确计时对网络性能和可靠性至关重要。网络中的所有节点必须及时同步。例如，5G网络中的所有节点必须始终在数百纳秒内同步，这比4G严格10倍。即使网络中断，也必须保持这种级别的同步。通过在数据中心交换机和路由器、5G基站和核心基础设施等应用中提供高达2倍的性能、9倍的尺寸和3倍的功耗，Epoch平台在性能和可靠性方面树立了新的标杆。
HotTech Vision & Analysis联合创始人、总裁兼首席分析师Dave Altavilla表示:“随着世界拥抱下一代技术，如人工智能的爆发、云数据中心的重塑以及高速5G/6G蜂窝网络，有源晶振，先进的电路和网络时序解决方案在确保性能、容错率和可靠性方面变得至关重要。“人工智能是几十年来，甚至可能是上个世纪最具颠覆性、变革性的技术创新。支持人工智能所需的高带宽、低延迟数据中心基础设施将要求为关键的有线和无线网络连接提供可靠的精确定时。此外，这些技术还将部署在边缘和现场，恶劣的环境条件将比以往任何时候都需要更强的耐用性和更高的可靠性。”
SiTime通过新的Epoch平台改变精确计时
同步网络依靠多个冗余时钟源来确保连续运行。其中一个时钟源是超稳定的本地振荡器，通常是OCXO，它将“保持”网络并确保在其他时钟源受到影响时继续运行。
然而，传统石英OCXO晶振本身就不可靠，在温度变化和振动等环境压力下性能容易下降。迄今为止，电子公司在现实世界的性能、可靠性、尺寸、功耗和预热时间上做出了妥协，以实现OCXO提供的一样东西——稳定的时钟基准。
凭借Epoch平台，SiTime正在突破石英OCXOs的所有这些限制。即使在环境压力下，Epoch的保持时间也延长了2倍，使电信和云服务提供商能够在现实条件下提供服务连续性。
SiTime Epoch平台的主要特性：
●10至220 MHz之间的任何频率，精度可编程至小数点后6位。
● 8小时保持，最多12小时老化补偿–比现实环境中的其他解决方案好2倍。
●1，3，5 ppb的温度频率稳定性
●最高工作温度范围:-40℃至+95℃
●2.5、2.8和3.3工作电源电压 石英晶体振荡器
●功耗降低3倍:420 mW
●气流下的ADEV提高3倍:平均时间为10秒时为5e-12
●老化降低3倍:0.08 ppb/天
●稳定时间加快2倍–60秒
●小9倍，低3倍:9毫米x 7毫米x 3.73毫米
●具有5E-14分辨率的数字控制:I2c和SPI接口
有效性：工程样品SiT58xx Epoch平台的现已面向合格客户推出。一般样品将于2023年10月提供。预计将于2024年初量产。
高精度Epoch平台OCXOs在9x7mm的业界最小OCXO尺寸中提供出色的稳定性。这些设备非常适合需要准确、弹性和可靠时间基准的新兴5G、数据中心和网络应用。
Epoch Platform MEMS OCXO（恒温控制振荡器）系列旨在解决石英OCXO的长期问题，石英OCXO天生不可靠，在环境压力下容易出现性能下降。Epoch平台OCXOs能够抵抗热冲击、气流和振动。此外，这些超稳定振荡器简化了设计，具有同类最佳的尺寸、较低的功耗和弹性，无需许多石英OCXOs使用的保护盖。
Device
Frequency
Stability(ppm)
Output Type
Supply Voltage(V)
Temp. Range(°C)
Package Size(mm)
SiT5801
10 to 60 MHz
±0.003 (±3 ppb)±0.005 (±5 ppb)
Regulated LVCMOSClipped Sinewave
2.52.83.3
-20 to 70-40 to 85-40 to 95
9.0 x 7.0
SiT5802
60 to 220 MHz
±0.003 (±3 ppb)±0.005 (±5 ppb)
Regulated LVCMOS
2.52.83.3
-20 to 70-40 to 85-40 to 95
9.0 x 7.0
SiT5811
10 to 60 MHz
±0.001 (±1 ppb)
Regulated LVCMOSClipped Sinewave
2.52.83.3
-20 to 70-40 to 85-40 to 95
9.0 x 7.0
SiT5812
60 to 220 MHz
±0.001 (±1 ppb)
Regulated LVCMOS
2.52.83.3
-20 to 70-40 to 85-40 to 95
9.0 x 7.0
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