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510BBA156M250BAG,Si510,156.25MHz,5032mm,Silicon交换机晶振

频率:156.250MHz

尺寸:5.0x3.2mm

510BBA156M250BAG,Si510,156.25MHz,5032mm,Silicon交换机晶振,美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si510系列,编码为:510BBA156M250BAG,电压:3.3V,频率稳定性:±25ppm,频率为:156.250MHz,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm封装,六脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,LVDS差分晶振。具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低电压,高精度,高性能,高品质等特点。应用程序:SONET/SDH/OTN,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI Express,3G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,交换机,路由器,FPGA/ASIC时钟生成等应用。
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510BBA156M250BAG,Si510,156.25MHz,5032mm,Silicon交换机晶振,美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si510系列,编码为:510BBA156M250BAG,电压:3.3V,频率稳定性:±25ppm,频率为:156.250MHz,工作温度范围:-40℃至+85℃,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm封装,六脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,LVDS差分晶振。具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低电压,高精度,高性能,高品质等特点。应用程序:SONET/SDH/OTN,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI Express,3G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,交换机,路由器,FPGA/ASIC时钟生成等应用。

510BBA156M250BAG,Si510,156.25MHz,5032mm,Silicon交换机晶振,产品特点:

支持从100kHz到250 MHz的任何频率;低抖动操作,2-4周交付周期

总体稳定性包括10年老化,全面的生产测试覆盖范围包括晶体ESR和DLD

用于电源噪声滤波的片上LDO稳压器;3.3V、2.5V或1.8V操作

差分(LVPECL、LVDS、HCSL)或CMOS输出贴片晶振

可选集成1:2 CMOS扇出缓冲器;OE上的Runt抑制和通电

行业标准5x7、3.2x5和2.5x3.2mm封装;无铅,符合RoHS,–40至85℃操作

2

510BBA156M250BAG,Si510,156.25MHz,5032mm,Silicon交换机晶振,参数表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency FO CMOS, Dual CMOS
156.250
MHz
FO LVDS/LVPECL/HCSL 0.1
250 MHz
Total Stability* Frequency Stability Grade C –30 +30 ppm
Frequency Stability Grade B –50 +50 ppm
Frequency Stability Grade A –100 +100 ppm
Temperature Stability Frequency Stability Grade C –20 +20 ppm
Frequency Stability Grade B –25 +25 ppm
Frequency Stability Grade A –50 +50 ppm
Startup Time TSU Minimum V DD until output
frequency (FO) within specification
10 ms
Disable Time TD FO> 10 MHz 5 µs
FO< 10 MHz 40 µs
Enable Time TE FO> 10 MHz 20 µs
FO< 10 MHz 60 µs

20180109173140_2357

510BBA156M250BAG,Si510,156.25MHz,5032mm,Silicon交换机晶振,尺寸图

Si510,Si511.5032,6脚

Si510,Si511

Si510,Si511-1

原厂代码 品牌 型号 频率 电压 频率稳定度 包装/封装
510BBA156M250BAGR Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510ABA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510FBA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510ABA200M000BAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA156M250AAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510ABA156M250AAG 进口有源晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510FBA125M000BAG Silicon晶振 Si510 125MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510FBA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA106M250BAG Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA100M000AAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA125M000AAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510FBA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510FBA156M250AAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510FBA148M500AAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA148M500AAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510ABA148M500AAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510DBA100M000AAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510ABA000149BAG Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510BBA000149BAG Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510ABA106M250BAG Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510FBA000149BAG Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510ABA74M2500BAG Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510FBA000149AAG Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
510ABA125M000AAG Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
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510BBA000149AAG Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
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510FBA74M2500AAG Silicon晶振 Si510 74.25MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
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