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KDS晶振,贴片晶振,DSX210GE晶振
KDS晶振,贴片晶振,DSX210GE晶振
贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
频率:16~64MHZ   尺寸:2.0×1.6mm
KDS晶振,2520晶振,DSR221STH晶振
KDS晶振,2520晶振,DSR221STH晶振
贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
频率:19.2MHZ   尺寸:2.5×2.0mm
KDS晶振,石英晶体谐振器,DSR211ATH晶振,DSR211STH晶振
KDS晶振,石英晶体谐振器,DSR211ATH晶振,DSR211STH晶振
贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
频率:19.2~38.4MHZ   尺寸:2.0×1.6mm
KDS晶振,2016晶振,DSX211SH晶振
KDS晶振,2016晶振,DSX211SH晶振
高精度晶片的抛光技术:是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶体元器件的等效电阻等更接近理论值,使石英晶体元器件可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态
频率:24~50MHZ   尺寸:2.0×1.6mm
富士晶振,温补晶振,FTC-206晶振
富士晶振,温补晶振,FTC-206晶振

小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。

频率:4~44MHz   尺寸:2.5×2.0mm
富士晶振,有源晶振,FTC-30C晶振
富士晶振,有源晶振,FTC-30C晶振

小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。

频率:8~52MHz   尺寸:3.2×2.5mm
富士晶振,SMD晶振,FSX-11M晶振
富士晶振,SMD晶振,FSX-11M晶振

贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品。

频率:3.579~65MHz   尺寸:11×5mm
富士晶振,石英晶体谐振器,FSX-6M晶振
富士晶振,石英晶体谐振器,FSX-6M晶振

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.



频率:10~100MHz   尺寸:6.0×3.5mm
富士晶振,5032贴片晶振,FSX-5M晶振
富士晶振,5032贴片晶振,FSX-5M晶振

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.



频率:10~50MHz   尺寸:5.0×3.2mm
富士晶振,2520贴片有源晶振,FSX-2M晶振
富士晶振,2520贴片有源晶振,FSX-2M晶振

小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。

频率:13.56~50MHz   尺寸:2.5×2.0mm
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